광화학소재연구회

문서열기 암호 : www.kosen21.org 1. 분석자 서문 자외선은 장시간 조명의 형광체 광원으로서의 용도 외에 살균, 소독 같은 의학분야, 생화학처리 등의 환경 정화에 사용된다. 이처럼 유용한 자외선의 광원으로 휴대가 간편한 발광다이오드나 레이저다이오드의 개발은 매우 중요한 과제이다. 그러나, 아직 고효율, 고출력 발광소자가 개발되지는 못했다. 미국이나 일본에서도 이를 위해 많은 노력을 기울이고 있다. 본 보고서에서는 그 동안 자외선 발광다이오드 개발 분야에서의 성과를 돌아보고, 효율을 높이기 위한 새로운 재료의 적용, 새로운 결정성장 방법을 소개한다. 앞으로의 개발 방향도 제시되었다. 대표적인 예를 든다면, 기존에 사용되던 AlGaN에 In-분리효과를 이용하기 위해 In을 추가한 4원InAlGaN을 발광층의 재료로 채용하여 10배 이상의 발광 효율을 달성하였으며, 또한 p-AlGaN 전자장벽층에서 전자유출을 방지하기 위하여 높은 Al 조성에서 원료기체 교번주입 기법을 도입하여 높은 p-도핑농도를 달성하였다. 이와 같은 방법으로 350nm대의 자외선에서 15%의 내부양자효율과 7.4mW의 광출력을 얻었다. 그 외에 200-300nm대의 자외선 발광소자를 개발하기 위한 기판의 요건, 성장 결정층의 설계시 요구사항, 발광소자의 발광면 선택이나 구조에 대해서도 논하였다. 2. 목차 분석자 서문 1. 개요 1.1. InAlGaN 자외선 발광다이오드 개요 2. 에피 성장과 광특성 최적화 2.1. AlGaN의 성장과 광특성 2.2. 자외선 발광소자를 위한 InAlGaN의 성장과 특성 3. InAlGaN 자외선 발광다이오드 3.1. SiC 기판 InAlGaN 자외선 발광다이오드 3.2. 사파이어 기판 310nm 대 InAlGaN 발광다이오드 3.3. 350nm대 InAlGaN 양자우물 발광 이오드 4. 결론 5. 분석자 결론 Reference 3. 원문정보 Hirayama, Hideki, Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes, Journal of Applied Physics, May 1 2005. 자료 출처: 이글은 KOSEN21의 분석자료입니다.