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□ 사례 13 - 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 - ▶분야 : 전기전자(반도체) ▶기술내용 : sti 공정을 이용한 소자분리막 형성방법으로, 소자분리막 형성과정에서 라이너질화막의 소실을 방지함으로써, 라이너 질화막이 균일하게 유지하여 문턱전압의 균일도를 향상할 수 있다. ▶title ○작성내용 : method for forming an isolation x-layer in a semiconductor device to improve uniformity of a threshold voltage ○의견 : 소자분리막 제조방법의 특징인 “문턱전압의 균일도를 향상할 수 있다”는 내용이 간결하게 제목에 반영되어 있음 ▶purpose ○작성내용 : a method for forming an isolation x-layer in a semiconductor device is provided to prevent the loss of a liner nitride x-layer even when an oxide x-layer is deposited by an hdp(high density plasma)-cvd(chemical vapor deposition) method by forming a trench inside a hard mask x-layer in forming an isolation x-layer. ○의견 : 구체적인 수단을 근거로 본 발명의 기술적 과제인 “hdp-cvd 방법을 이용해서 라이너 질화막의 손실을 줄인다”는 내용이 명확하게 기재되어 있음 ▶constitution ○작성내용 : a hard mask x-layer is formed on a silicon substrate(21) including an isolation region and an active region, including a stack x-layer of a pad oxide x-layer and a pad nitride x-layer. the hard mask x-layer is etched to expose the substrate in the isolation region. the exposed substrate is firstly etched to form a trench(25) by an anisotropic etch process. the trench is secondly etched by an isotropic etch process to be formed inside the hard mask x-layer. a sidewall oxide x-layer(26) is formed on the surface of the trench. a liner nitride x-layer(27) is formed on the resultant structure. an oxide x-layer is filled in the trench having the liner nitride x-layer. ○의견 : 본 발명의 기술적 과제 해결을 위한 기술적 방법의 내용이 구체적으로 기술되어 있음