생산기술특허연구회

　삼성전자(대표 윤종용)는 세계 최초로 60나노급(68나노) 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR2 D램<사진> 개발에 성공하고, 인텔 인증을 획득했다고 12일 밝혔다. 삼성전자는 올해 말부터 이 제품의 양산을 개시할 예정이어서, 현재 양산 중인 512Mb 및 1Gb D램을 포함해 DDR2 D램 전 제품에 60나노급 양산체제를 갖추게 된다. 60나노급 2Gb D램은 2004년 개발한 80나노 2기가 D램의 최대 속도인 667Mbps(초당 667메가비트의 데이터 처리) 대비 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps 구현이 가능하고, 생산성도 40% 이상 향상된 것이 특징이다. 기존 1Gb D램 36개로 구성된 4GB D램 모듈을 이번 개발된 2Gb D램 18개로 대체할 경우, 1Gb D램으로 구성된 모듈 대비 30% 이상 전력을 절감할 수 있고, 시스템 작동시 발열량을 줄여 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다. 삼성전자 반도체총괄 상품기획팀 전준영 상무는 “60나노급 1기가 DDR2 D램을 필두로, D램 시장 주요 제품을 기존 512Mb에서 1Gb로 전환하고 있다”며 “60나노급 2Gb D램과 같이 기술 경쟁력을 바탕으로 한 고용량·고성능 고부가가치 제품을 통해 D램 시장을 주도해 나갈 것”이라고 밝혔다. 한편 반도체 시장 조사기관인 가트너 데이터퀘스트에 따르면 세계 2Gb D램 시장은 올해부터 시장이 형성되어 오는 2011년 140억달러 규모로 성장, 전체 D램 시장에서 47%를 차지할 전망이다. 심규호기자@전자신문, khsim@etnews.co.kr