생산기술특허연구회

　국내 반도체업계가 D램 세대교체에 나섰다. 　삼성전자와 하이닉스반도체는 현재 10% 안팎인 1Gb D램 생산 비중을 4분기부터 30∼40% 이상으로 급속히 늘려 D램 사이클을 6개월 이상 앞당긴다는 계획이다. 이에 따라 오는 2009년 하반기에나 가능할 것으로 기대됐던 1Gb D램시대가 내년 하반기 이후 활짝 열릴 것으로 보인다. 　양사는 이로써 512Mb에서 1Gb로 넘어가는 전환기에 시장을 주도하고 가격경쟁력과 수익성을 극대화, 불안정한 시장상황을 정면 돌파한다는 전략이다. 대만은 아직 1Gb D램 생산계획조차 수립하지 못했고 일본·미국·유럽 업계도 70∼80나노대 일부 제품을 생산하는 수준에 머물고 있다. 　삼성전자 고위관계자는 11일 “4분기에 68나노 1Gb D램 양산에 박차를 가해 연말까지 전체 생산량의 30∼40%까지 끌어올릴 계획”이라고 밝혔다. 그는 또 “내년 상반기에는 1Gb D램 생산이 전체의 절반을 넘어서며 명실상부한 주력 제품이 되고, 512Mb와의 비트크로스(1Gb D램 1개 가격이 512Mb 2개 가격보다 싸지는 현상)도 발생할 것”이라고 전망했다. 현재 삼성전자의 1Gb D램 생산 비중은 10∼15% 수준이다. 　하이닉스반도체 고위관계자도 “현재 10% 수준인 1Gb D램 생산비중을 연말까지 40%로 확대한다는 목표 아래 최첨단 라인에서 66나노 1Gb D램을 양산하고 있다”고 이날 밝혔다. 업계의 한 전문가는 “하이닉스는 내부적으로 512Mb에서 1Gb D램으로 전환되는 시점부터 삼성을 제치고 세계시장을 선도하겠다는 목표를 세워 놓은 것으로 안다”며 “512Mb D램 주력 시기가 짧아져 안정된 수익을 다소 포기해야 하지만 시장 선점에 따른 수익 창출 효과가 더 큰 것으로 판단한 것 같다”고 말했다. 　아이서플라이가 2분기 발표한 D램 보고서는 세계 1Gb D램 생산 비중이 1분기 1.8%에서 올 4분기 9%로 확대되고, 내년 4분기 29% 수준으로 올라설 것으로 전망했다. 윈도비스타 효과로 인해 1Gb D램이 주력제품으로 부상하는 시기는 일러야 내년 말이나 2009년 상반기가 될 것으로 예측했다. 　 심규호기자@전자신문, khsim@etnews.co.kr